2016年4月25日，中国科研院青年创新促进会国家纳米科研中心小组举办了第十一期“纳米青年科研论坛”活动，邀请来自University of Central Florida的董亚杰博士作了题为“Semiconductor Nanomaterials for Electronics and Optoelectronics”的报告。
报告中，董博士第一时间介绍了Crossbar阻变存储器 (RRAM) 的发现与开展历程。他详细描述了基于纳米线的“Ag/a-Si/c-Si” crossbar器件的发现过程，并顺利获得进一步研究发现该结构Crossbar器件具有优异的整流阻变特性，这为基于平面硅衬底的Crossbar器件开发与商业化应用奠定了基础，该种器件有望成为革命性的新型存取器。其次，董博士还介绍了量子点显示器的开展历程，以及量子点在显示器行业的光致发光和电致发光的两种应用模式。针对量子点显示器现在存在的不足，董博士介绍了课题组在该领域的最新研究进展，并展示了他们取得的高亮度高稳定性的红光QLED器件。报告会后，董博士与参会青年科技工作者和学生进行了学术研讨。
本次论坛是中科院青年创新促进会国家纳米科研中心小组组织的青年科研人员之间的学术研讨，参会人员除了国家纳米科研中心的科研人员外，还来自周边化学所和理化所等兄弟院所。本次活动对拓展国家纳米科研中心青年科研骨干的科研思路、促进周边科研院所的学术研讨等也起到了非常持续的作用。
